タッチスクリーン、フレキシブルディスプレイ、印刷可能な電子機器、太陽光発電、ソリッドステート照明などの新しい電子機器は、柔軟で透明な導電体の市場成長の急速な増加をもたらしました。私たちの読者は、ITO(酸化インジウムスズ)が長い間解決策ではなくなったことをすでに知っています。また、ITO代替物としてのグラフェンの需要が近年急増していること。グラフェンの合成と特性評価における最近の進歩は、それが透明導電体として多くの電子用途にとって興味深いことを示しています。

グラフェンがこの分野で有用であることが証明されているため、高品質であると同時に安価な製造方法のスケーラブルな可能性がますます求められています。 次の表は、これまでのグラフェンの最も重要な合成方法を示しています。|合成方法|原則| |----|----| |メカニカルエクスフォリエーション|粘着フィルムの助けを借りて、グラファイト結晶の最上層を剥がし、それを適切なキャリアに移します| |化学剥離|グラファイト結晶の個々の層間の適切な試薬のインターカレーションによって、グラフェンフレークは超音波処理の助けを借りて溶液中で得られます| |酸化グラフェンの還元|水中の酸化グラファイトを酸化グラフェンに剥離し、続いて化学的還元して酸素化基を除去する| |炭化ケイ素のエピタキシャル成長|炭化ケイ素結晶の約1000°Cでの熱分解| |混合気相分離(CVD)|金属担体(CuまたはNi)上のグラフェン単分子膜へのガス状炭素源(メタンなど)の触媒分解|

ちなみに、CVD(化学蒸着)は、ほぼ完璧なグラフェンを生成するため、グラフェン合成の最も興味深い方法の1つです(下の表を参照)。|グラフェン材料|エレクター。ファクター|透明性| |----|----|----| |CVD-G|280 Ω/平方メートル |80%| |CVD-G|350 Ω/平方|90%| |CVD-G|700 Ω/平方|80%|この合成法では、電気抵抗の低い透明性がかなり高かった(80%)。