Az új elektronikus eszközök, például érintőképernyők, rugalmas kijelzők, nyomtatható elektronika, fotovoltaikus rendszerek vagy szilárdtest-világítás a rugalmas, átlátszó elektromos vezetők piacának gyors növekedéséhez vezettek. Olvasóink már tudják, hogy az ITO (indium-ón-oxid) már régóta nem megoldás. Továbbá, hogy a grafén, mint ITO helyettesítője iránti kereslet az elmúlt években meredeken emelkedett. A grafén szintézisének és jellemzésének legújabb eredményei azt mutatják, hogy számos elektronikus alkalmazás számára érdekes, mint átlátszó vezető.

Mivel a grafén hasznosnak bizonyult ezen a területen, egyre több skálázható lehetőséget keresnek a kiváló minőségű és ugyanakkor olcsó gyártási módszerre. Az alábbi táblázat felsorolja a grafén legfontosabb szintézis módszereit.| Szintézis módszer| Alapelv| |----|----| | Mechanikus hámlasztás| Egy ragasztófólia segítségével húzza le a grafitkristály felső rétegét, és vigye át egy megfelelő hordozóanyagra| | Kémiai hámlasztás| A grafitkristály egyes rétegei közötti megfelelő reagensek interkalációjával ultrahangos kezelés segítségével grafénpelyheket kapunk oldatban | | A grafén-oxid redukciója| A grafit-oxid vízben történő hámlasztása grafén-oxiddá, majd kémiai redukció az oxigénnel dúsított csoportok eltávolítása érdekében| | Epitaxiális növekedés szilícium-karbidon | Szilícium-karbid kristály termikus bomlása kb. 1000 °C-on. | Kevert gázfázisú izolálás (CVD)| Gáz-halmazállapotú szénforrás (pl. metán) katalitikus bomlása fémes hordozón lévő egyrétegű grafénrétegekké (Cu vagy Ni)|

Egyébként a CVD (kémiai gőzlerakódás) a grafénszintézis egyik legérdekesebb módszere (lásd az alábbi táblázatot), mivel szinte tökéletes grafént állít elő.| Grafén anyag| Elektr. Tényező| Átláthatóság| |----|----|----| | CVD-G|280 Ω/négyzetméter| 80%| | CVD-G|350 Ω/négyzetméter|90%| | CVD-G|700 Ω/négyzetméter|80%|Ezzel a szintézis módszerrel az alacsony elektromos ellenállású átlátszóság meglehetősen magas volt (80%).