Forscher der US Amerikanischen Lehigh Universität in Bethlehem, Pennsylvania haben kürzlich zum ersten Mal eine Leistungssteigerung in der elektrischen Leitfähigkeit von zufälligen Nanodraht-Netzwerken identifzieren können, die durch geringfügige Beschränkung der Nanodrahtorientierung erreicht wurde. Das Besondere an den Studienergebnissen ist jedoch, dass die schwerer angeordneten Konfigurationen die zufällig angeordneten Konfigurationen nicht überperformen. Im Falle von Metall-Nanodrähten bewirkt die zufällige Orientierung eine Erhöhung der Leitfähigkeit. Die Aktuelle Mai-Ausgabe der Fachzeitschrift "Scientific Reports Nature" hat die Studienergebnisse von Dr. Tansu und dessen Forschungsteam veröffentlicht. Die Arbeit der Forscher befasst sich mit der Entwicklung eines Computer Models, dass ein Metall-Nanodraht Netzwerk simuliert, welches den Prozess und die Konfiguration von idealisierten Nanodrähten beschleunigen soll. Das Model von Dr. Tansus Forschungsgruppe bestätigt ältere Forschungsergebnisse von bereits durchgeführten, experimentellen Berichten.

Derzeit ist Indium-Zinnoxid (ITO) das am häufigste verwendete Material für transparente Leiter in Flachbildschirmen, PCAP Touchscreens, Solarzellen und Leuchtdioden. Da es neben einer sehr hohen Leitfähigkeit auch eine hohe Transparenz aufweist. ITO-basierte Technologie ist aber nicht mehr zeitgemäß. Zum einen wird das Material langsam knapp, es ist teuer in der Herstellung und sehr spröde, was eine besonders unerwünschte Eigenschaft für unsere zukünftigen Technologien der heutigen Zeit im Bereich der flexiblen Elektronik darstellt.